MPSA42-BK MPSA42-BK npn high voltage si-epitaxial p lanar transistors hochspannungs-si-epitaxial planar-transistoren npn version 2011-07-07 dimensions / ma?e [mm] power dissipation verlustleistung 625 mw plastic case kunststoffgeh?use to-92 (10d3) weight approx. gewicht ca. 0.18 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert special packaging bulk sonder-lieferform schttgut maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) mpsa42 collector-emitter-volt. - kollektor-emitter-spannung b open v ceo 300 v collector-base-voltage - kollektor-basis-spannung e open v cbo 300 v emitter-base-voltage - emitter-basis-spannung c open v ebo 6 v power dissipation C verlustleistung p tot 625 mw 1 ) collector current C kollektorstrom (dc) i c 500 ma base current C basisstrom i b 100 ma junction temperature C sperrschichttemperatur t j -55...+150c storage temperature C lagerungstemperatur t s -55+150c characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) min. typ. max. collector-base cutoff current C kollektorreststrom i e = 0, v cb = 200 v mpsa42 i cb0 C C 100 na emitter-base cutoff current C emitterreststrom i b = 0, v eb = 6 v mpsa42 i eb0 C C 100 na collector saturation voltage C kollektor-s?ttigungsspannung 2 ) i c = 20 ma, i b = 2 ma mpsa42 v cesat C C 500 mv 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen tp = 300 s, schaltverh?ltnis 2% ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2 x 1.27 e b c 4.6 0.1 4 . 6 0 . 1 m i n 1 2 . 5
MPSA42-BK characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) min. typ. max. base saturation voltage C basis-s?ttigungsspannung 1 ) i c = 20 ma, i b = 2 ma v besat C C 0.9 v dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis v ce = 10 v, i c = 1 ma v ce = 10 v, i c = 10 ma v ce = 10 v, i c = 30 ma h fe h fe h fe 25 40 40 C C C C C C gain-bandwidth product C transitfrequenz v ce = 20 v, i c = 10 ma, f = 100 mhz f t 50 mhz C C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t v cb = 20 v, i e = i e = 0, f = 1 mhz mpsa42 c cb0 C C 3 pf thermal resistance junction C ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 200 k/w 2 ) recommended complementary pnp transistors empfohlene komplement?re pnp-transistoren mpsa92 1 tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen tp = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1
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